| 韩国半导体发展史 |
韩国半导体发展史
核心
三星在半导体发展历程当中能够审时度势，走符合国情的道路。高度重视技术和人才，培育速度文化，多次利用发周期投资，多去大量市场份额。韩国半导体在存储器领域取得了令人瞩目的成就，但是有与发展结构单一，导致关键原材料和半导体设备受制于日本，进口依赖短时期内无法消除。
1960年后，韩国国内开始了大力对于半导体产业多推广与支持
1959年造了空管收音机，韩国的半导体产业起步
1975年，韩国政府公布了扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化，韩国政府还建立了韩国高级科学技术研究院 (KAIST) 和韩国电子技术研究所 (KIET) 进行关键技术的研发和人才的培养。
1983年，李秉吉创立了三星集团 ,三星开始筹备集成电路制造, 也即DRAM的研发
1984-1986年，是全球半导体产业的一个低潮期。内存卡价格从每张4美元暴跌至每张30美分, 当时三星内存卡的生产成本是每张1.3美元, 每卖出一张内存卡便亏损1美元。在此期间, 英特尔不堪重负退出了DARM行业, NEC等日企纷纷大幅减产, 三星没有退却, 而是选择逆周期投资, 继续扩大产能, 并开发更大容量的DARM。到1986年底, 三星的半导体业务累积亏损3亿美元, 股权资本完全亏空。幸而日美半导体协议的签订拉升了DRAM内存价格, 三星的半导体业务才开始盈利。在这一时期, 三星的半导体技术尚不如日美, 但凭借自己对于半导体产业的信心和逆周期投资的赌徒行为挺过了这个低潮期, 扩大了自己在半导体产业的市场份额。
1987年，三星实现第一次盈利
1987年，产业出现转机时, 加上美国政府发起对于日本半导体业的反倾销诉讼案, 美国政府和日本企业达成自动出口限制协议。由于日本企业减少向美国出口, 导致DRAM价格回升, 三星开始首次实现盈利
1989年10月，三星成功开发出16 M DRAM (采用0, 25μm技术) , 它己领先于全球任何一家制造商。
1993年，全球半导体市场转弱, 但是三星采用反周期的投资策略大胆投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。16 M DRAM的量产, 奠定了三星在全球存储器霸主的地位。
1996-1999年三星再次和竞争对手打起了价格战。此时的三星在DRAM技术上已经赶超了日美。价格战较量的背后有着强大的技术支撑, 其目的是市场份额的争夺。在此次价格战中, 日立、NEC、三菱的内存部门不堪重负, 被母公司剥离;东芝则宣布自2002年7月起不再生产通用DRAM, 日本DRAM幸存者仅剩下尔必达一家。
2005年，三星的晶圆代工开始
2008年，金融危机爆发后, DRAM价格暴跌, 全行业陷入危机。三星再次进行逆周期投资, 将上一年的全部利润用于扩大产能, 很快无力支撑的德国奇梦达、日本尔必达等企业就被挤出了DARM市场, 韩国的三星和SK海力士独占了DARM领域75%的市场份额。
2017年，韩国三星企业成功超越美国英特尔, 成为全球最大的半导体设备制造商。2017年5月，三星宣布将该业务部门独立出来，成为一家纯晶圆代工企业，并计划在未来5年内取得芯片代工市场25%的份额。同年，星晶圆代工部门的营收为46亿美元、市占率为6%，是全球第四大晶圆代工厂，落后台积电、GlobalFoundries、联电
2019年，为进一步发展晶圆代工，三星设立研究中心
1980年代后韩国政府改变半导体产业政策, 转向扶持DRAM, 此时三星半导体开始获得政府支持
1982年, 韩国政府出台了国内半导体产业扶持计划, 提出了实现国内民用消费电子产品需求和生产设备的进口替代。1982-1987年是韩国半导体产业振兴计划实施阶段
1986年10月, 韩国政府开始实施《超大规模集成电路技术共同开发计划》, 计划提出要以政府为主、民间为辅, 投资开发从1M到64M的DRAM芯片核心基础技术。
1990年, 韩国开始执行半导体设备国产化五年计划, 推动半导体核心部件国产化
1993年, 韩国政府又制定实施了21世纪电子发展规划, 明确了电子产业自力更生的方针, 规定不再增加从国外购买电子设备和建设工厂工程的合同, 在非引进不可的特殊情况下, 韩国电子企业必须联合, 共同承包。
1994年, 韩国政府颁布《半导体芯片保护法》, 以确保韩国半导体芯片受到合法保护, 为半导体行业的技术创新构建了一个良好的外部环境。同年, 韩国政府又制定了电子产业技术发展战略, 选定集成电路等七大战略技术作为重点开发对象, 计划在1999年之前投资20544亿韩元来发展国内电子产业, 其中政府投资9131亿韩元。
1995 年 , 韩国半导体销售额为163亿美 元 , 其中91%的份额来自美 国、日本 、欧 洲以及其它国家和地区。生产规模已跃居世界第 4 位 , 仅次于美国 、 日本和德国。韩国以DRAM输出攻势驱动的半导体出口额 , 1995年高达146亿美元（半导体输出总额的85%） ,同时 , 韩国的进口贸易以43.7%的增长率发展 , 进口额3.35亿美 元。韩国半导体输出产品中有 9 0 % 是存储器 芯片 , 而输入的半导体产品主要是 Asic电路芯片
1999年, 韩国教育部为建设研究型高校、培养研究型人才发起“BK21”计划, 对580所大学或研究所进行专项支持
1983年3月，现代集团在美国建立了Modern Electrosystems Inc
1985年现代电子作为后起之秀实现了跨越式的发展。2月开始施工的现代电子第2工厂于同年9月竣工。现代电子第2工厂是6英寸生产线，同年12月最早实现了256K DRAM的量产
1990年4月，现代电子成功研发出4M DRAM技术后于1991年6月开始正式进入量产。
1991年，现代生产的MOS存储器市场占有率也提升至2%，一跃升到世界第17位
1992年7月，完成了64M DRAM技术产品设计并于1997年进入了量产阶段
1999年现代电子与LG半导体决定重组。重组后2001年正式改名为海力士半导体。
2001年到2003年是海力士最为困难的时期，海力士2001年开始的”蓝芯计划”是半导体生产线再利用的战略，海力士的工程师们在研究所内废寝忘食一个月，通过坚持不懈的努力最终成功改造了二手设备并生产出了新产品。SK海力士之后又借鉴当时的经验，把8英寸生产线成功转换成12英寸生产线。2002年初，韩国政府指出因债务危机而面临倒闭的海力士难以独自生存下去。政府为拯救海力士展开了一系列行动。政府与海力士、债权团、学术界就是否卖出形成了激烈的对峙局面。海力士还开启了紧缩开支的管理模式。在四年间海力士针对员工们采取了冻结工资、停薪留职等人力调整措施，不仅节省了费用也使其走上了半导体行业的前列。自救意识与技术革新是海力士得以绝处逢生、战胜危机的原动力。
2005年海力士的总销售额达5兆7,534亿韩元、净收入达1兆8,174亿韩元
2006年第四季度的营业利润就达到了8,580亿韩元。创下复活神话的主人公正是海力士公司内部的员工们
2010年，海力士销量创历史新高并且营业额为业界最高水准，当时在半导体业界排行达到第六位
2011年，海力士超越曾经的买家美光科技和英飞凌成为世界第二大存储器企业。
2012年02月，韩国第三大财阀SK集团入主海力士，随后更名为SK海力士
2016年，韩国政府又主导成立了总规模2000亿韩元 (约11.2亿元人民币) 的“半导体希望基金”投资于半导体产业, 旨在聚焦半导体新技术的开发, 尤其是存储新技术的开发。
2018年, 韩国政府又出台了半导体研发国家政策计划, 该计划主要包括人工智能、物联网、新世代半导体生产设备及材料三大领域, 涵盖核心技术开发、商用化技术开发两大部分, 计划在未来十年由国家投入22亿美元作用于国内的半导体产业。
启示
首先，必须重视半导体行业。结合我国国情，在世界贸易保护主义抬头，美国试图构建一个将中国排除在外的经济体的背景下，促进我国制造业的转型升级，向高端制造业攀升就显得十分必要。而半导体就是这样一个行业，美国对华为的制裁事件足以给我们启示，核心技术千万不能受制于人，这次三星受到日本的制裁也是同样的道理。
其次，必须要完善产业链条。我国只是封测还比较接近世界先进水平，在存储器和晶圆代工领域还有很大的差距，政府必须给予足够的税收优惠政策和财政基金支持，带动民间投资，加强人才的培养，构建半导体产业联盟。实现校企合作，促进就业的合理布局，拉动产业的发展。三星和韩国政府的密切配合以及他们对人才的高度重视，是促进三星获得成功的重要原因，我国企业和政府必须积极借鉴他国的经验，加强半导体材料和晶圆代工的人才培养。
最后，必须给予充分的资金支持。半导体是个极度烧钱的行业，三星在研发投入上面从来不吝啬，且有足够的勇气和毅力完成自己设定的目标和每一次的挑战。我相信我国政府应该积极的扩展半导体的行业布局，只要资金使用合理，应该大胆支持企业创新，鼓励企业参与半导体的研发活动当中去。