电接触类型

• ​中性接触

  • ​金属-半导体-金属

    • ​功函数相等

    • ​或费米能级上方/下方有电子/空穴捕获能级

    • ​接触是欧姆型

    • ​通过半导体抽取电流小于阴极饱和热电子发射电流

• ​阻挡接触

  • 金属-半导体/绝缘体

    • ​肖特基势垒

    • ​金属功函数大于半导体：电子流向金属，正空间电荷区，阻挡电子从金属流出

    • ​金属功函数小于半导体：阻挡金属发射空穴

• ​欧姆接触

  • ​金属-半导体

    • ​接触处自由载流子密度远大于半导体内部

    • ​电流电压关系非线性

    • ​产生方法1:电子注入：选功函数低的金属 空穴注入：选功函数高的金属

    • ​2:接触附近半导体表面重掺杂

    • ​欧姆接触使本征表现为非本征

    • ​自由载流子储存器

• ​金属-电解质接触

  • ​电导是离子而非电子

  • ​离子堆积金属表面直到能使负离子上升到金属阳极的费米能级

• ​电解质-半导体/绝缘体接触

  • ​建立伽伐尼电势 

  • ​电子从电解质到半导体：还原性

  • ​电子从半导体到电解质：氧化性

  • ​通常具有整流性