电接触类型
中性接触
金属-半导体-金属
功函数相等
或费米能级上方/下方有电子/空穴捕获能级
接触是欧姆型
通过半导体抽取电流小于阴极饱和热电子发射电流
阻挡接触
金属-半导体/绝缘体
肖特基势垒
金属功函数大于半导体:电子流向金属,正空间电荷区,阻挡电子从金属流出
金属功函数小于半导体:阻挡金属发射空穴
欧姆接触
金属-半导体
接触处自由载流子密度远大于半导体内部
电流电压关系非线性
产生方法1:电子注入:选功函数低的金属 空穴注入:选功函数高的金属
2:接触附近半导体表面重掺杂
欧姆接触使本征表现为非本征
自由载流子储存器
金属-电解质接触
电导是离子而非电子
离子堆积金属表面直到能使负离子上升到金属阳极的费米能级
电解质-半导体/绝缘体接触
建立伽伐尼电势
电子从电解质到半导体:还原性
电子从半导体到电解质:氧化性
通常具有整流性